| ： | XP3N1R0MT |
|---|---|
| ： | 单 FET、MOSFET |
| ： | YAGEO XSEMI |
| ： | FET N-CH 30V 54 |
| ： | - |
| ： | 卷带式 (TR) |
| ： | 1100 |
| ： | 1 |
1
$4.0400
$4.0400
10
$3.3900
$33.9000
100
$2.7400
$274.0000
500
$2.4400
$1,220.0000
1000
$2.0900
$2,090.0000
3000
$1.9600
$5,880.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | YAGEO XSEMI |
| 系列 | XP3N1R0 |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 8-PowerLDFN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 54.2A (Ta), 245A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 1.05mOhm @ 20A, 10V |
| 功耗（最大） | 5W (Ta), 104W (Tc) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 2.2V @ 250µA |
| 供应商设备包 | PMPAK® 5 x 6 |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 4.5V, 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 漏源电压 (Vdss) | 30 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 120 nC @ 4.5 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 12320 pF @ 15 V |
