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WNSC6D10650B6J

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WNSC6D10650B6J
单二极管
WeEn Semiconductors Co., Ltd
WNSC6D10650B/TO
-
卷带式 (TR)
100
1
: 100

3200

$1.2300

$3,936.0000

5600

$1.1800

$6,608.0000

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WNSC6D10650B
瑞能-WeEn
碳化硅二极管
WNSC6D10650BT2-A
瑞能-WeEn
碳化硅功率二极管
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商WeEn Semiconductors Co., Ltd
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
安装类型Surface Mount
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢复时间 (trr)0 ns
技术SiC (Silicon Carbide) Schottky
电容@Vr, F500pF @ 1V, 1MHz
电流 - 平均整流 (Io)10A
供应商设备包D2PAK
工作温度 - 结-55°C ~ 175°C
电压 - 直流反向 (Vr)(最大)650 V
电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If1.45 V @ 10 A
电流 - 反向漏电流@Vr50 µA @ 650 V
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