: | UF3C120080K4S |
---|---|
: | 单 FET、MOSFET |
: | UnitedSiC (Qorvo) |
: | SICFET N-CH 120 |
: | - |
: | 管子 |
: | 16573 |
: | 1 |
1
$14.6300
$14.6300
30
$11.8500
$355.5000
120
$11.1500
$1,338.0000
510
$10.1100
$5,156.1000
1020
$9.2700
$9,455.4000
类型 | 描述 |
制造商 | UnitedSiC (Qorvo) |
系列 | - |
包装 | 管子 |
产品状态 | ACTIVE |
包装/箱 | TO-247-4 |
安装类型 | Through Hole |
工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
技术 | SiCFET (Cascode SiCJFET) |
场效应管类型 | N-Channel |
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 33A (Tc) |
Rds On(最大)@Id、Vgs | 100mOhm @ 20A, 12V |
功耗(最大) | 254.2W (Tc) |
Vgs(th)(最大值)@Id | 6V @ 10mA |
供应商设备包 | TO-247-4 |
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | 12V |
Vgs(最大) | ±25V |
漏源电压 (Vdss) | 1200 V |
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs | 43 nC @ 12 V |
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds | 1500 pF @ 100 V |