| ： | TPD3215M |
|---|---|
| ： | FET、MOSFET 阵列 |
| ： | Transphorm |
| ： | GANFET 2N-CH 60 |
| ： | - |
| ： | 散装 |
| ： | 100 |
| ： | |
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Transphorm |
| 系列 | - |
| 包装 | 散装 |
| 产品状态 | OBSOLETE |
| 包装/箱 | Module |
| 安装类型 | Through Hole |
| 配置 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 功率 - 最大 | 470W |
| 漏源电压 (Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 2260pF @ 100V |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 34mOhm @ 30A, 8V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 28nC @ 8V |
| 供应商设备包 | Module |
