| ： | TPC8228-H,LQ |
|---|---|
| ： | FET、MOSFET 阵列 |
| ： | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| ： | MOSFET 2N-CH 60 |
| ： | - |
| ： | 卷带式 (TR) |
| ： | 100 |
| ： | |
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| 系列 | U-MOSVI-H |
| 包装 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 配置 | 2 N-Channel (Dual) |
| 工作温度 | 150°C |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 功率 - 最大 | 1.5W (Ta) |
| 漏源电压 (Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 3.8A |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 640pF @ 10V |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 57mOhm @ 1.9A, 10V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 11nC @ 10V |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 2.3V @ 100µA |
| 供应商设备包 | 8-SOP |
