| ： | TP65H050WS |
|---|---|
| ： | 单 FET、MOSFET |
| ： | Transphorm |
| ： | GANFET N-CH 650 |
| ： | - |
| ： | 管子 |
| ： | 417 |
| ： | 1 |
1
$17.6700
$17.6700
30
$14.3000
$429.0000
120
$13.4600
$1,615.2000
510
$12.2000
$6,222.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Transphorm |
| 系列 | - |
| 包装 | 管子 |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | TO-247-3 |
| 安装类型 | Through Hole |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 34A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 60mOhm @ 22A, 10V |
| 功耗（最大） | 119W (Tc) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 4.8V @ 700µA |
| 供应商设备包 | TO-247-3 |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 12V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 漏源电压 (Vdss) | 650 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 24 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 1000 pF @ 400 V |
