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SSM14N956L,EFF

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  • image of FET、MOSFET 阵列 SSM14N956L,EFF
SSM14N956L,EFF
FET、MOSFET 阵列
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
MOSFET 2N-CH 12
-
卷带式 (TR)
9955
1
: 9955

1

$1.3300

$1.3300

10

$1.0900

$10.9000

100

$0.8500

$85.0000

500

$0.7200

$360.0000

1000

$0.5900

$590.0000

2000

$0.5500

$1,100.0000

5000

$0.5300

$2,650.0000

10000

$0.5000

$5,000.0000

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产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
系列-
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱14-SMD, No Lead
安装类型Surface Mount
配置2 N-Channel
工作温度150°C
技术MOSFET (Metal Oxide)
功率 - 最大1.33W (Ta)
漏源电压 (Vdss)12V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C20A (Ta)
Rds On(最大)@Id、Vgs1.35mOhm @ 10A, 4.5V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs76nC @ 4V
Vgs(th)(最大值)@Id1.4V @ 1.57mA
供应商设备包TCSPED-302701
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