| ： | SQJ110EP-T1_GE3 |
|---|---|
| ： | 单 FET、MOSFET |
| ： | Vishay / Siliconix |
| ： | AUTOMOTIVE N-CH |
| ： | - |
| ： | 卷带式 (TR) |
| ： | 100 |
| ： | 1 |
1
$1.6600
$1.6600
10
$1.3800
$13.8000
100
$1.1000
$110.0000
500
$0.9300
$465.0000
1000
$0.7900
$790.0000
3000
$0.7500
$2,250.0000
6000
$0.7200
$4,320.0000
9000
$0.7000
$6,300.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Vishay / Siliconix |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | PowerPAK® SO-8 |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 170A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 6.3mOhm @ 15A, 10V |
| 功耗（最大） | 500W (Tc) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 3.5V @ 250µA |
| 供应商设备包 | PowerPAK® SO-8 |
| 年级 | Automotive |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 漏源电压 (Vdss) | 100 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 113 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 6100 pF @ 25 V |
| 资质 | AEC-Q101 |
