| ： | SIRA54ADP-T1-RE3 |
|---|---|
| ： | 单 FET、MOSFET |
| ： | Vishay / Siliconix |
| ： | N-CHANNEL 40 V |
| ： | - |
| ： | 卷带式 (TR) |
| ： | 6100 |
| ： | |
1
$1.8600
$1.8600
10
$1.5400
$15.4000
100
$1.2300
$123.0000
500
$1.0400
$520.0000
1000
$0.8800
$880.0000
3000
$0.8400
$2,520.0000
6000
$0.8100
$4,860.0000
9000
$0.7800
$7,020.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Vishay / Siliconix |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | PowerPAK® SO-8 |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 36.2A (Ta), 128A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 2.2mOhm @ 15A, 10V |
| 功耗（最大） | 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 2.5V @ 250µA |
| 供应商设备包 | PowerPAK® SO-8 |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 4.5V, 10V |
| Vgs（最大） | +20V, -16V |
| 漏源电压 (Vdss) | 40 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 70 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 3850 pF @ 20 V |
