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SIHB6N80AE-GE3

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SIHB6N80AE-GE3
单 FET、MOSFET
Vishay / Siliconix
E SERIES POWER
-
管子
1140
1
: 1140

1

$1.9900

$1.9900

50

$1.6000

$80.0000

100

$1.3200

$132.0000

500

$1.1100

$555.0000

1000

$0.9500

$950.0000

2000

$0.9000

$1,800.0000

5000

$0.8600

$4,300.0000

10000

$0.8400

$8,400.0000

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产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Vishay / Siliconix
系列E
包裹管子
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C5A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs950mOhm @ 2A, 10V
功耗(最大)62.5W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id4V @ 250µA
供应商设备包TO-263 (D2PAK)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±30V
漏源电压 (Vdss)800 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs22.5 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds422 pF @ 100 V
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