| ： | NXH003P120M3F2PTNG |
|---|---|
| ： | FET、MOSFET 阵列 |
| ： | Sanyo Semiconductor/onsemi |
| ： | SILICON CARBIDE |
| ： | - |
| ： | 托盘 |
| ： | 120 |
| ： | 1 |
1
$258.7200
$258.7200
20
$242.3200
$4,846.4000
40
$233.2100
$9,328.4000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Sanyo Semiconductor/onsemi |
| 系列 | - |
| 包装 | 托盘 |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | Module |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 配置 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | Silicon Carbide (SiC) |
| 功率 - 最大 | 1.48kW (Tj) |
| 漏源电压 (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 435A (Tj) |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 20889pF @ 800V |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 5mOhm @ 200A, 18V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 1200nC @ 20V |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 4.4V @ 160mA |
| 供应商设备包 | 36-PIM (56.7x62.8) |
