| ： | IV1Q12050T3 |
|---|---|
| ： | 单 FET、MOSFET |
| ： | Inventchip Technology |
| ： | SIC MOSFET, 120 |
| ： | - |
| ： | 管子 |
| ： | 100 |
| ： | 1 |
1
$36.0600
$36.0600
10
$32.0500
$320.5000
100
$28.0300
$2,803.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Inventchip Technology |
| 系列 | - |
| 包装 | 管子 |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | TO-247-3 |
| 安装类型 | Through Hole |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 技术 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 58A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 65mOhm @ 20A, 20V |
| 功耗（最大） | 327W (Tc) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 3.2V @ 6mA |
| 供应商设备包 | TO-247-3 |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 20V |
| Vgs（最大） | +20V, -5V |
| 漏源电压 (Vdss) | 1200 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 120 nC @ 20 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 2770 pF @ 800 V |
