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IV1D12010O2

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IV1D12010O2
单二极管
Inventchip Technology
DIODE SIL CARB
-
管子
290
1
: 290

1

$10.8200

$10.8200

10

$9.2700

$92.7000

100

$7.7300

$773.0000

500

$6.8200

$3,410.0000

1000

$6.1400

$6,140.0000

获取报价信息
IV1D12010O2
瞻芯-IVCT
SiC SBD
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Inventchip Technology
系列-
包装管子
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-220-2
安装类型Through Hole
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢复时间 (trr)0 ns
技术SiC (Silicon Carbide) Schottky
电容@Vr, F575pF @ 1V, 1MHz
电流 - 平均整流 (Io)28A
供应商设备包TO-220-2
工作温度 - 结-55°C ~ 175°C
电压 - 直流反向 (Vr)(最大)1200 V
电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If1.8 V @ 10 A
电流 - 反向漏电流@Vr50 µA @ 1200 V
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