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ICE30N60W

  •  ICE30N60W
  • image of 单 FET、MOSFET ICE30N60W
ICE30N60W
单 FET、MOSFET
IceMOS Technology
Superjunction M
-
管子
190
: 190

30

$7.8400

$235.2000

150

$7.3500

$1,102.5000

600

$6.7200

$4,032.0000

2100

$6.1900

$12,999.0000

6000

$5.7400

$34,440.0000

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产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商IceMOS Technology
系列-
包装管子
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-247-3
安装类型Through Hole
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C30A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs68mOhm @ 15A, 10V
功耗(最大)171W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id3.9V @ 250µA
供应商设备包TO-247
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)600 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs189 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds6090 pF @ 25 V
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