| ： | ICE19N60L |
|---|---|
| ： | 单 FET、MOSFET |
| ： | IceMOS Technology |
| ： | Superjunction M |
| ： | - |
| ： | 卷带式 (TR) |
| ： | 6100 |
| ： | |
3000
$2.4800
$7,440.0000
9000
$2.3200
$20,880.0000
15000
$2.1200
$31,800.0000
21000
$1.9400
$40,740.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | IceMOS Technology |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 4-PowerTSFN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 220mOhm @ 9.5A, 10V |
| 功耗（最大） | 236W (Tc) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 3.9V @ 250µA |
| 供应商设备包 | 4-DFN (8x8) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 漏源电压 (Vdss) | 600 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 59 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 2064 pF @ 25 V |
