| ： | GT52N10T |
|---|---|
| ： | 单 FET、MOSFET |
| ： | Goford Semiconductor |
| ： | N100V,RD(MAX)<9 |
| ： | - |
| ： | 管子 |
| ： | 258 |
| ： | 1 |
1
$1.6700
$1.6700
10
$1.3900
$13.9000
100
$1.1000
$110.0000
500
$0.9300
$465.0000
1000
$0.7900
$790.0000
2000
$0.7500
$1,500.0000
5000
$0.7200
$3,600.0000
10000
$0.7000
$7,000.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Goford Semiconductor |
| 系列 | SGT |
| 包裹 | 管子 |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | TO-220-3 Full Pack |
| 安装类型 | Through Hole |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 9mOhm @ 50A, 10V |
| 功耗（最大） | 100W (Tc) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 3V @ 250µA |
| 供应商设备包 | TO-220 |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 4.5V, 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 漏源电压 (Vdss) | 100 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 44.5 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 2626 pF @ 50 V |
