| ： | GBJ10D |
|---|---|
| ： | 桥式整流器 |
| ： | GeneSiC Semiconductor |
| ： | 200V 10A GBJ SI |
| ： | - |
| ： | 大部分 |
| ： | 100 |
| ： | 1 |
5000
$0.6500
$3,250.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | GeneSiC Semiconductor |
| 系列 | - |
| 包装 | 大部分 |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 4-SIP, GBJ |
| 安装类型 | Through Hole |
| 二极管类型 | Single Phase |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | Standard |
| 供应商设备包 | GBJ |
| 电压 - 反向峰值（最大） | 200 V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 10 A |
| 电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If | 1.05 V @ 5 A |
| 电流 - 反向漏电流@Vr | 10 µA @ 200 V |
