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G230P06F

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G230P06F
单 FET、MOSFET
Goford Semiconductor
MOSFET P-CH 60V
-
管子
4100
: 4100

1000

$0.3700

$370.0000

5000

$0.3600

$1,800.0000

15000

$0.3400

$5,100.0000

30000

$0.3100

$9,300.0000

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产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Goford Semiconductor
系列-
包装管子
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-220-3 Full Pack
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C42A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs23mOhm @ -10A,- 10V
功耗(最大)67.57W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id4V @ 250µA
供应商设备包TO-220F
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)4.5V, 10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)60 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs62 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds4669 pF @ -30 V
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