| ： | G02P06 |
|---|---|
| ： | 单 FET、MOSFET |
| ： | Goford Semiconductor |
| ： | P60V,RD(MAX)<19 |
| ： | - |
| ： | 卷带式 (TR) |
| ： | 6224 |
| ： | 1 |
1
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$9,000.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Goford Semiconductor |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | P-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 1.6A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 190mOhm @ 1A, 10V |
| 功耗（最大） | 1.5W (Tc) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 2.5V @ 250µA |
| 供应商设备包 | SOT-23 |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 4.5V, 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 漏源电压 (Vdss) | 60 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 11.3 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 573 pF @ 30 V |
