| ： | EPC7018GC |
|---|---|
| ： | 单 FET、MOSFET |
| ： | EPC Space |
| ： | GAN FET HEMT 10 |
| ： | - |
| ： | 大部分 |
| ： | 108 |
| ： | |
1
$316.8000
$316.8000
10
$296.7200
$2,967.2000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | EPC Space |
| 系列 | eGaN® |
| 包装 | 大部分 |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 5-SMD, No Lead |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 6mOhm @ 40A, 5V |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 2.5V @ 12mA |
| 供应商设备包 | 5-SMD |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 5V |
| Vgs（最大） | +6V, -4V |
| 漏源电压 (Vdss) | 100 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 11.7 nC @ 5 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 1240 pF @ 50 V |
