| ： | DMT35M4LPSW-13 |
|---|---|
| ： | 单 FET、MOSFET |
| ： | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
| ： | MOSFET BVDSS: 2 |
| ： | - |
| ： | 卷带式 (TR) |
| ： | 100 |
| ： | 1 |
2500
$0.2300
$575.0000
5000
$0.2100
$1,050.0000
12500
$0.2000
$2,500.0000
25000
$0.1900
$4,750.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 8-PowerTDFN |
| 安装类型 | Surface Mount, Wettable Flank |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 18.9A (Ta), 71.1A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 5.5mOhm @ 20A, 10V |
| 功耗（最大） | 1.5W (Ta) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 2.5V @ 250µA |
| 供应商设备包 | PowerDI5060-8 (Type UX) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 4.5V, 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 漏源电压 (Vdss) | 30 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 16 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 1029 pF @ 15 V |
