| ： | DI016N06PQ2-AQ |
|---|---|
| ： | FET、MOSFET 阵列 |
| ： | Diotec Semiconductor |
| ： | IC |
| ： | - |
| ： | 大部分 |
| ： | 100 |
| ： | |
5000
$0.2500
$1,250.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Diotec Semiconductor |
| 系列 | - |
| 包装 | 大部分 |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 8-PowerTDFN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 配置 | 2 N-Channel |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 功率 - 最大 | 16.7W (Tc) |
| 漏源电压 (Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 1260pF @ 30V |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 33mOhm @ 15A, 10V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 19nC @ 10V |
| 场效应管特性 | Logic Level Gate |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 2.5V @ 250µA |
| 供应商设备包 | TDSON-8-4 |
| 年级 | Automotive |
| 资质 | AEC-Q101 |
