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BY25Q128ESWIG(R)

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BY25Q128ESWIG(R)
记忆
BYTe Semiconductor
128 MBIT, 3.0V
-
卷带式 (TR)
3099
1
: 3099

1

$1.5700

$1.5700

10

$1.4000

$14.0000

25

$1.3300

$33.2500

100

$1.0900

$109.0000

250

$1.0200

$255.0000

500

$0.9000

$450.0000

1000

$0.7100

$710.0000

3000

$0.6700

$2,010.0000

6000

$0.6300

$3,780.0000

15000

$0.6100

$9,150.0000

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产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商BYTe Semiconductor
系列-
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-WDFN Exposed Pad
安装类型Surface Mount
内存大小128Mbit
内存类型Non-Volatile
工作温度-40°C ~ 85°C (TA)
电压 - 电源2.7V ~ 3.6V
技术FLASH - NOR (SLC)
时钟频率120 MHz
内存格式FLASH
供应商设备包8-WSON (5x6)
写入周期时间 - 字、页60µs, 2.4ms
内存接口SPI - Quad I/O
存取时间7.5 ns
记忆组织16M x 8
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