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： CSD86356Q5DT
： 金属氧化物半导体场效应晶体管阵列
： Texas Instruments
： CSD86356Q5DT da
： -
： 8-PowerTDFN
： YES

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CSD86356Q5DT
：
金属氧化物半导体场效应晶体管阵列
：
Texas Instruments
：
CSD86356Q5DT da
：
-
：
8-PowerTDFN
：
YES
TYPEDESCRIPTION
Factory Lead Time 6 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Packaging Tape & Reel (TR)
Series NexFET™
JESD-609 Code e3
Pbfree Code yes
Part Status Active
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Number of Terminations 8
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Terminal Position DUAL
Terminal Form NO LEAD
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Number of Functions 1
Terminal Pitch 1.27mm
Reach Compliance Code not_compliant
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Base Part Number CSD86356
JESD-30 Code R-PDSO-N8
Input Voltage-Nom 12V
Analog IC - Other Type SWITCHING REGULATOR
Power - Max 12W Ta
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Input Voltage (Max) 22V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5m Ω @ 20A, 5V, 0.8m Ω @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.85V @ 250μA, 1.5V @ 250μA
Control Technique PULSE WIDTH MODULATION
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1.04nF @ 12.5V 2.51nF @ 12.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A Ta
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Switcher Configuration BUCK
Switching Frequency-Max 1500kHz
FET Feature Logic Level Gate, 5V Drive
Length 6mm
Height Seated (Max) 1.05mm
Width 5mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
1.jpg
 原装正品       每颗芯片都来自原厂


2.jpg
       

 主要产品       只生厂材料


3.jpg
        

 现货库存       只生产原材料

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原装库存Bom 单价格实惠


+86-13723477211

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