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： APTM50AM70FT1G
： 金属氧化物半导体场效应晶体管阵列
： Microsemi Corporation
： APTM50AM70FT1G
： -
： SP1
： YES

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金属氧化物半导体场效应晶体管阵列
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Microsemi Corporation
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APTM50AM70FT1G
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-
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SP1
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YES
TYPEDESCRIPTION
Mount Chassis Mount, Screw
Mounting Type Chassis Mount
Package / Case SP1
Number of Pins 1
Transistor Element Material SILICON
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Packaging Bulk
Published 2007
Part Status Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Number of Terminations 12
Additional Feature AVALANCHE RATED
Max Power Dissipation 390W
Terminal Position UPPER
Terminal Form UNSPECIFIED
Reach Compliance Code unknown
Pin Count 12
Qualification Status Not Qualified
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation 390W
Case Connection ISOLATED
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Transistor Application SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs 84m Ω @ 42A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10800pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 340nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Continuous Drain Current (ID) 50A
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Drain-source On Resistance-Max 0.08Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 500V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
FET Feature Standard
RoHS Status RoHS Compliant
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