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： APTM20DUM05G
： 金属氧化物半导体场效应晶体管阵列
： Microsemi Corporation
： APTM20DUM05G da
： -
： SP6
： YES

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APTM20DUM05G
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金属氧化物半导体场效应晶体管阵列
：
Microsemi Corporation
：
APTM20DUM05G da
：
-
：
SP6
：
YES
TYPEDESCRIPTION
Lifecycle Status IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
Factory Lead Time 36 Weeks
Mount Chassis Mount, Screw
Mounting Type Chassis Mount
Package / Case SP6
Number of Pins 6
Transistor Element Material SILICON
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Packaging Bulk
JESD-609 Code e1
Pbfree Code yes
Part Status Active
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Number of Terminations 7
ECCN Code EAR99
Terminal Finish TIN SILVER COPPER
Additional Feature AVALANCHE RATED
Max Power Dissipation 1.136kW
Terminal Position UPPER
Terminal Form UNSPECIFIED
Pin Count 7
JESD-30 Code R-XUFM-X7
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection ISOLATED
Turn On Delay Time 28 ns
Power - Max 1136W
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Transistor Application SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6m Ω @ 158.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 10mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 27400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 448nC @ 10V
Rise Time 56ns
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Fall Time (Typ) 99 ns
Turn-Off Delay Time 81 ns
Continuous Drain Current (ID) 317A
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
FET Feature Standard
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
1.jpg
 原装正品       每颗芯片都来自原厂


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 主要产品       只生厂材料


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 现货库存       只生产原材料

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