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： PDTD123ET,215
： 预偏置双极性结型晶体管
： Nexperia USA Inc.
： PDTD123ET,215 d
： -
： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
： YES

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：
PDTD123ET,215
：
预偏置双极性结型晶体管
：
Nexperia USA Inc.
：
PDTD123ET,215 d
：
-
：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
：
YES
TYPEDESCRIPTION
Factory Lead Time 4 Weeks
Mount Surface Mount
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Number of Pins 3
Packaging Tape & Reel (TR)
Published 2005
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Number of Terminations 3
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Operating Temperature 150°C
Min Operating Temperature -65°C
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1
Max Power Dissipation 250mW
Terminal Position DUAL
Terminal Form GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 40
Base Part Number PDTD123
Pin Count 3
Number of Elements 1
Polarity NPN
Element Configuration Single
Power Dissipation 250mW
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
Max Collector Current 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 50mA 5V
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
Emitter Base Voltage (VEBO) 10V
hFE Min 40
Resistor - Base (R1) 2.2 k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 2.2 k Ω
REACH SVHC No SVHC
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Lead Free Lead Free
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