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  • image of 单金属氧化物半导体场效应晶体管晶体管>IPU60R1K4C6BKMA1
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： IPU60R1K4C6BKMA1
： Single MOSFETs Transistors
： Infineon Technologies
： N-Channel Tube
： -
： TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
： YES

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：
IPU60R1K4C6BKMA1
：
Single MOSFETs Transistors
：
Infineon Technologies
：
N-Channel Tube
：
-
：
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
：
YES
TYPEDESCRIPTION
Mount Through Hole
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Transistor Element Material SILICON
Operating Temperature -55°C~155°C TJ
Packaging Tube
Series CoolMOS™
Published 2008
JESD-609 Code e3
Pbfree Code no
Part Status Discontinued
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Number of Terminations 3
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Reach Compliance Code not_compliant
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
JESD-30 Code R-PSIP-T3
Number of Elements 1
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Power Dissipation-Max 28.4W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation 28.4W
FET Type N-Channel
Transistor Application SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ω @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 90μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 200pF @ 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.2A Tc
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.4nC @ 10V
Rise Time 7ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Vgs (Max) ±20V
Fall Time (Typ) 20 ns
Turn-Off Delay Time 40 ns
Continuous Drain Current (ID) 3.2A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Max Dual Supply Voltage 600V
Drain to Source Breakdown Voltage 650V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 8A
Avalanche Energy Rating (Eas) 26 mJ
FET Feature Super Junction
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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