产品
产品
制造商
询价
资讯
资讯
关于我们
关于我们
联系我们
联系我们
产品
光电子(117074)
传感器(48132)
连接器(342863)
成电路或离散式半导体(133041)
集成电路（IC）(319702)
制造商
询价
资讯
关于我们
关于我们 >>
联系我们
联系我们 >>
  • image of 单金属氧化物半导体场效应晶体管晶体管>BTS121ANKSA1
  • image of 单金属氧化物半导体场效应晶体管晶体管>BTS121ANKSA1
： BTS121ANKSA1
： Single MOSFETs Transistors
： Infineon Technologies
： N-Channel Tube
： -
： TO-220-3
： YES

captcha
image of 单金属氧化物半导体场效应晶体管晶体管>BTS121ANKSA1
image of 单金属氧化物半导体场效应晶体管晶体管>BTS121ANKSA1
：
BTS121ANKSA1
：
Single MOSFETs Transistors
：
Infineon Technologies
：
N-Channel Tube
：
-
：
TO-220-3
：
YES
TYPEDESCRIPTION
Mount Through Hole
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-220-3
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Packaging Tube
Series TEMPFET®
Published 2000
Part Status Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Number of Terminations 3
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Terminal Position SINGLE
Number of Elements 1
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND TEMPERATURE SENSOR
Power Dissipation-Max 95W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation 95W
Case Connection DRAIN
Turn On Delay Time 25 ns
FET Type N-Channel
Transistor Application SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100m Ω @ 9.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A Tc
Rise Time 110ns
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V
Vgs (Max) ±10V
Fall Time (Typ) 100 ns
Turn-Off Delay Time 210 ns
Continuous Drain Current (ID) 22A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Gate to Source Voltage (Vgs) 10V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 88A
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
1.jpg
 原装正品       每颗芯片都来自原厂


2.jpg
       

 主要产品       只生厂材料


3.jpg
        

 现货库存       只生产原材料

4.jpg       

原装库存Bom 单价格实惠


+86-13723477211

sales@fuchaoic.com

点击这里给我发消息
0