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  • image of 金属氧化物半导体场效应晶体管阵列>NTMFD4902NFT1G
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： NTMFD4902NFT1G
： MOSFETs Transistors Arrays
： ON Semiconductor
： NTMFD4902NFT1G
： -
： 8-PowerTDFN
： YES

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：
NTMFD4902NFT1G
：
MOSFETs Transistors Arrays
：
ON Semiconductor
：
NTMFD4902NFT1G
：
-
：
8-PowerTDFN
：
YES
TYPEDESCRIPTION
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Factory Lead Time 17 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Surface Mount YES
Number of Pins 8
Transistor Element Material SILICON
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Packaging Tape & Reel (TR)
Published 2012
JESD-609 Code e3
Pbfree Code yes
Part Status Active
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Number of Terminations 8
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 1.16W
Terminal Form FLAT
Pin Count 8
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN SOURCE
Power - Max 1.1W 1.16W
FET Type 2 N-Channel (Dual), Schottky
Transistor Application SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5m Ω @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1150pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.3A 13.3A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.7nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Continuous Drain Current (ID) 13.3A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 13.5A
Drain-source On Resistance-Max 0.01Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 60A
DS Breakdown Voltage-Min 30V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
FET Feature Logic Level Gate
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Lead Free Lead Free
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 原装正品       每颗芯片都来自原厂


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 主要产品       只生厂材料


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