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  • image of 金属氧化物半导体场效应晶体管阵列>MCH6663-TL-W
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： MCH6663-TL-W
： MOSFETs Transistors Arrays
： ON Semiconductor
： MCH6663-TL-W da
： -
： 6-SMD, Flat Leads
： YES

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：
MCH6663-TL-W
：
MOSFETs Transistors Arrays
：
ON Semiconductor
：
MCH6663-TL-W da
：
-
：
6-SMD, Flat Leads
：
YES
TYPEDESCRIPTION
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Factory Lead Time 7 Weeks
Mount Surface Mount
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 6-SMD, Flat Leads
Transistor Element Material SILICON
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Packaging Tape & Reel (TR)
Published 2012
JESD-609 Code e6
Pbfree Code yes
Part Status Active
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Max Power Dissipation 800mW
Terminal Position DUAL
JESD-30 Code R-PDSO-F6
Number of Elements 2
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N and P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 188m Ω @ 900mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 88pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.8A 1.5A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Continuous Drain Current (ID) 1.5A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 1.8A
Drain-source On Resistance-Max 0.188Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 30V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
FET Feature Logic Level Gate, 4V Drive
RoHS Status ROHS3 Compliant
Lead Free Lead Free
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