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  • image of 金属氧化物半导体场效应晶体管阵列>IRF9956PBF
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： IRF9956PBF
： MOSFETs Transistors Arrays
： Infineon Technologies
： IRF9956PBF data
： -
： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
： YES

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：
IRF9956PBF
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：
Infineon Technologies
：
IRF9956PBF data
：
-
：
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
：
YES
TYPEDESCRIPTION
Mount Surface Mount
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Number of Pins 8
Transistor Element Material SILICON
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Packaging Tube
Series HEXFET®
Published 2003
Part Status Discontinued
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Number of Terminations 8
ECCN Code EAR99
Resistance 100mOhm
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
Voltage - Rated DC 30V
Max Power Dissipation 2W
Terminal Form GULL WING
Current Rating 3.5A
Base Part Number IRF9956PBF
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation 2W
Turn On Delay Time 6.2 ns
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Transistor Application SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100m Ω @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
Rise Time 8.8ns
Fall Time (Typ) 3 ns
Turn-Off Delay Time 13 ns
Continuous Drain Current (ID) 3.5A
Threshold Voltage 1V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 16A
Avalanche Energy Rating (Eas) 44 mJ
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
FET Feature Logic Level Gate
Nominal Vgs 1 V
Height 1.5mm
Length 5mm
Width 4.05mm
REACH SVHC No SVHC
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Lead Free Lead Free
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