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  • image of 金属氧化物半导体场效应晶体管阵列>2N7002PV,115
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： 2N7002PV,115
： MOSFETs Transistors Arrays
： Nexperia USA Inc.
： 2N7002PV,115 da
： -
： SOT-563, SOT-666
： YES

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：
2N7002PV,115
：
MOSFETs Transistors Arrays
：
Nexperia USA Inc.
：
2N7002PV,115 da
：
-
：
SOT-563, SOT-666
：
YES
TYPEDESCRIPTION
Factory Lead Time 4 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SOT-563, SOT-666
Surface Mount YES
Number of Pins 6
Transistor Element Material SILICON
Operating Temperature 150°C TJ
Packaging Tape & Reel (TR)
Published 2010
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Number of Terminations 6
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Max Power Dissipation 330mW
Terminal Form FLAT
Pin Count 6
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation 390mW
Turn On Delay Time 3 ns
Power - Max 330mW
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Transistor Application SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6 Ω @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.8nC @ 4.5V
Rise Time 4ns
Fall Time (Typ) 5 ns
Turn-Off Delay Time 10 ns
Continuous Drain Current (ID) 350mA
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Max Dual Supply Voltage 60V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.35A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
FET Feature Logic Level Gate
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Lead Free Lead Free
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 原装正品       每颗芯片都来自原厂


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 主要产品       只生厂材料


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